10 urrats
(Txina eguzki panela): mozketa, garbiketa, suedearen prestaketa, grabaketa periferikoa, atzealdeko PN juntura kentzea, goiko eta beheko elektrodoen fabrikazioa, islapenaren aurkako filmaren fabrikazioa, sinterizazioa, probak eta kalifikazioak.
Eguzki-zelulen fabrikazio-prozesu espezifikoa deskribatzea
(1) Ebakitzea
(Txina eguzki panela):siliziozko hagaxka silizio karratuan mozten da alanbre anitzeko ebaketaz.
(2) Garbiketa
(Txina eguzki panela): erabili siliziozko obleak garbitzeko metodo konbentzionala, eta, ondoren, erabili azidoa (edo alkalinoa) soluzioa siliziozko obleen gainazalean ebakitako kalte-geruza kentzeko 30-50um-tan.
(3) Suedei¼¼Txina eguzki-panela prestatzea): siliziozko oblearen grabaketa anisotropikoa soluzio alkalinoarekin siliziozko oblearen gainazalean suede prestatzeko.
(4) Fosforoaren difusioa (Txina eguzki-panela): estaldura-iturria (edo iturri likidoa edo fosforo nitruro xafla solidoaren iturria) difusiorako erabiltzen da PN juntura egiteko, eta junturaren sakonera, oro har, 0,3-0,5 um-koa da.